■支持超低粒子使用單晶硅電極。
■獨特的不向外部排放顆粒的清潔機制，確保長期穩定的清潔水平
■使用無需任何調整的智能控制電路
■內置傳感器持續監測離子產生，實現可靠的靜電消除
■控制器、電源內置集成緊湊型設計
自動高壓關閉功能，在低流量下保護產品適用于先進的半導體制造工藝和其他超低顆粒應用
24V DC 驅動

規格

輸入電壓	24V DC+/-5% 6W 典型值。
離子平衡	<+/-25V 150mm 距離 40LPM 無管道連接
靜電消除時間	<10 秒 150 毫米距離 40LPM 無管道 +/-1kv → +/- 100v 通過充電板監視器
離子發生法	電暈放電型高頻交流方式
清潔度	ISO Class1,0.1 微米 “擴展 ISO Class1,10nm”*
電極	單晶硅可更換
相應的吹掃氣體	N2 > 99.998%
流量	40LPM (36.5Kpa) 至 90LPM (171kpa)
*大吹掃壓力	207Kpa (=100LPM 流量)
*高氣體溫度	60攝氏度
N2 吹掃連接	世偉洛克 3/8" 外徑管道
電離 N2 連接	世偉洛克 1/2" OD 管道連接，帶 1/4NPT 內螺紋連接器或可選接頭28-25710-SC
工作溫度限制	15至60攝氏度
信號輸出	開/關觸點處的警報和低離子輸出
尺寸	長 152.4mm x 寬 72.4mm x 深 32mm 不包括管道
重量	640克
外部的	不銹鋼
安裝方式	背面M5螺絲螺絲長度必須小于10mm

擴展的 ISO 1 級，10nm
是 ION Systems **定義的清潔度定義，以支持細顆粒物管理。ISO14644-1 定義*小粒徑為 100nm。擴展 ISO 等級 1,10nm 使用與 ISO14644-1 相同的允許顆粒數計算公式，對于 10nm 或更大的晶粒尺寸，允許的顆粒數為 1200pc/m3 (34 pc/ft3)。

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產品名稱：日本SIMCO思美高4214 型離子發生器

特征

規格