產品信息

4214 型離子發生器即使在高純度 N2 環境下也支持“擴展 ISO 1 級，10nm”的高清潔度，并實現出色的離子平衡。

特征

■超低顆粒負載采用單晶硅電極。
■獨特的清潔機制，不會向外部釋放顆粒，確保長期穩定的清潔度
■采用智能控制電路，無需任何調節
■內置傳感器持續監控離子產生，實現可靠的靜電消除
■控制器、電源內置集成緊湊型設計
■自動高壓關斷功能可在低流量時保護產品
■非常適合先進的半導體制造工藝和其他超低顆粒應用
■ 24V DC 驅動

規格

輸入電壓	24V DC+/-5% 6W（典型值）
離子平衡	<+/-25V 150mm 距離 40LPM 無管道連接
靜電消除時間	<10sec 150mm 距離 40LPM 無管道連接 +/-1kv → +/- 100v 通過充電板監視器
離子發生方式	電暈放電型高頻交流型
清潔度	ISO Class1，0.1 微米 “擴展 ISO Class1，10nm”*
電極	單晶硅可替代
兼容的吹掃氣體	氮氣 > 99.998%
流量	40LPM(36.5Kpa)～90LPM(171kpa)
*大吹掃壓力	207Kpa（=100LPM流量）
*高氣體溫度	60℃
N2 吹掃連接	Swagelok3/8" 外徑管道
電離 N2 連接	世偉洛克 1/2"OD 管道連接，帶 1/4NPT 內螺紋連接器或可選接頭28-25710-SC
工作溫度限制	15～60℃
信號輸出	開/關觸點報警和離子滴輸出
尺寸	長152.4mm x 寬72.4mm x 深32mm （不包括管道）
重量	640克
外部的	不銹鋼
安裝方法	背面M5螺絲螺絲長度必須小于10mm

擴展的 ISO 1 級 10nm
是 ION Systems 獨立確定的清潔度定義，以支持微小顆粒管理。ISO14644-1定義*小粒徑為100nm。擴展ISO Class 1，10nm采用與ISO14644-1相同的計算允許顆粒數的公式，對于直徑10nm以上的顆粒，允許顆粒數為1200pc/m3（34 pc/ft3）。

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產品名稱：日本SIMCO思美高中國重慶代理（內藤）

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4214 型離子發生器即使在高純度 N2 環境下也支持“擴展 ISO 1 級，10nm”的高清潔度，并實現出色的離子平衡。

特征

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